南韓兩大晶片廠三星電子與海力士（Hynix）25日宣布結盟，共同發展下一代的記憶體晶片，希望藉此分攤研發成本，節省未來的專利授權費用。
這種稱為自旋力矩轉移磁阻隨存記憶體（STT-MRAM）的晶片，有潛力成為下一代的主流記憶體。南韓政府因此出面協調，促成三星與海力士合作。
南韓知識經濟部長李允鎬說，這將使南韓半導體產業繼續保持領先，在下一代的晶片開發中取得先機。他說：「正當我們的半導體產業面臨外國威脅時，我樂見他們在技術上結盟。」
日本東芝、NEC與富士通先前已組成開發STT-MRAM的聯盟，將在2006-2010年間支出30億日圓（2,830億美元）的研發費用。
李允鎬說，三星與海力士的合作可以把關鍵技術留在南韓手中，避免日後對外國業者支付龐大授權費用。由於缺乏DRAM與NAND快閃記憶體的關鍵專利，南韓晶片業者目前每年必須向東芝、英特爾等公司支付數億美元的權利金。
這也是南韓半導體業者整合結盟計畫的一環。南韓官員表示，這項合作將使三星與海力士成為18吋晶圓廠的標準制訂者。兩家晶片廠承諾將採購更多南韓當地生產的晶圓材料、組件與設備。
